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  • 国产芯片弯道超车:中科院宣布2nm芯片技术有望“破冰”

    来源:www.zcrchr.com 发布时间:2020-02-14

    在过去的30年里,“中国核心”一直处于落后地位。尽管它一直在发展壮大,但它从未能在芯片领域超越美国。

    在核心技术方面,它一直被美国企业垄断!

    然而,最近,中国科学院收到了好消息:中国科学家开发了一种新型垂直纳米环栅晶体管,它被认为是高达2纳米工艺的主要技术候选。

    这意味着技术成熟后,国产2纳米芯片有望成功破冰!

    目前,最先进的芯片制造技术是TSMC的7纳米Euv工艺。华为麒麟990 5G芯片更出名。

    一个指甲盖大小的芯片内置了100多亿个晶体管。此外,麒麟990是第一次将5G调制解调器集成到SoC中,这也是世界上第一个集成5G Soc。

    在7纳米Euv工艺之后,中国科学院开发了一种新型晶体管堆叠垂直纳米环栅晶体管,这是2纳米及以下工艺所需要的。

    据报道,早在2016年,官员们就开始对此类技术进行相关研究。历经重重困难,中国科学院获得了世界第一名,研制出了世界上第一个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管。

    同时,该专利也获得了许多发明专利的授权。中国科学院的研究成果意义重大。这种新型垂直纳米环栅晶体管被认为是2纳米以下工艺的主要技术候选,这可能会极大地推动国内芯片的制造。

    这将是中国整体芯片研发的一个里程碑式的转折点。这将使中国不再过度依赖进口芯片!

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